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研究要点:本报告主要涉及了IGBT市场近期的发展情况以及IGBT市场特点、影响因素以及重点厂商的发展情况
涉及厂商:赛米控(Semikron)、飞兆(Fairchild)、国际整流器公司(IR)、富士电机(Fuji)、意法半导体(ST)等
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。面市初期主要应用在以变频器、电源、电焊机等产品为主的工业控制领域中，随着消费电子产品对于功率器件耐压要求和开关频率的不断提升，IGBT逐步从工业产品走进消费电子产品中，而IGBT作为汽车点火器的最优选择在汽车电子领域中也得到了快速发展。
由于电磁炉、变频家电、数码相机等消费电子产品中应用IGBT比例不断增大以及消费电子产品整机产量巨大的影响，中国IGBT市场销量一直保持快速发展势头。在众多应用领域的带动下，IGBT已经成为功率器件家族中的新兴力量。
鉴于中国IGBT市场的快速发展，我们推出了2005-2006年中国IGBT市场专题报告。本报告对中国IGBT市场发展现状以及未来5年中国IGBT市场发展做出了分析及预测，深入剖析了影响中国IGBT市场发展的主要因素。为帮助相关厂商了解中国IGBT市场发展现状为厂商及时准确地把握市场机遇提供市场依据。
报告亮点
现阶段IGBT作为功率器件家族中的新兴力量，在国内规模尚且不大，但受到下游整机产量及应用领域不断扩展的影响，中国IGBT市场未来仍将持续保持快速增长势头。本报告通过翔实的数据充分解析了中国IGBT的市场规模与未来发展趋势以及影响因素，帮助厂商及时了解市场动态，把握市场机遇。
在翔实市场数据的基础上，本报告对IGBT主要厂商进行了深入剖析。对于重点厂商的竞争力分析报告主要从厂商的产品定位，产品种类，在华分布情况等多方面进行分析，力求全面解析厂商情况，帮助相关厂商了解竞争对手情况，在激烈的市场竞争中做到知己知彼。
最后，报告为准备进入IGBT市场的厂商提供了相关意见和建议，帮助厂商快速切入IGBT新兴市场。而对于已进入IGBT市场的厂商来说，报告对于厂商如何扩大国内市场份额给出了策略和建议。
报告框架
主要结论
一、2005年中国功率器件市场现状
(一) 市场规模
(二) 产品结构
1、按应用领域分
2、按产品分
(三) 市场特点
二、2005年中国IGBT市场现状
(一) 市场规模
(二) 产品结构
1、按电压分
2、按封装形式分
3、按应用领域分
(三) 市场特点
三、主力IGBT厂商竞争力分析
(一) 竞争格局分析
1、按区域分
2、按厂商分
3、按销售渠道分
(二) 品牌结构
(三) 主力厂商分析
1、赛米控(Semikron)
2、飞兆(Fairchild)
3、国际整流器公司(IR)
4、富士电机(Fuji)
5、意法半导体(ST)
四、影响未来五年中国IGBT市场发展因素
(一) 外部因素
1、国家政策
2、整机产量
(二) 内部因素
1、价格
2、封装标准
五、2006-2010年中国IGBT市场发展预测
(一) 市场发展趋势预测
1、技术发展趋势
2、应用领域发展趋势
(二) 市场规模预测
1、功率器件市场预测
2、IGBT市场预测
六、建议
1、IGBT Wafer对于工艺技术要求较高，国内企业可通过与海外技术团队合作的方式切入市场
2、生产商加强产品售前售后服务，在依靠国际知名分销商的同时可加强与本土分销商的合作
3、本土代工企业可加强与国际知名企业的合作，从中低端产品逐步进入IGBT产品
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